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MGSF1N03LT3

MGSF1N03LT3
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부품 번호 MGSF1N03LT3
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
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부품 번호 MGSF1N03LT3 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량 5007 pcs 데이터 시트 MGSF1N03L, MVGSF1N03L
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.4V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 100 mOhm @ 1.2A, 10V 전력 소비 (최대) 420mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 140pF @ 5V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V 상세 설명 N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.6A (Ta)

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