KSB1116AGBU
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| 부품 번호 | KSB1116AGBU |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | TRANS PNP 60V 1A TO-92 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | KSB1116AGBU | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS PNP 60V 1A TO-92 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5265 pcs | 데이터 시트 | KSB1116/1116A |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 60V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 50mA, 1A | 트랜지스터 유형 | PNP |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-92-3 | 연속 | - |
| 전력 - 최대 | 750mW | 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 주파수 - 전환 | 120MHz |
| 상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 200 @ 100mA, 2V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 100nA (ICBO) | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 1A |
| 기본 부품 번호 | KSB1116 |
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- 부품#:
MT16VDDT12864AG-40BD3 - 제조업체:
Micron Technology - 기술:
MODULE DDR SDRAM 1GB 184UDIMM - 재고:
379