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부품 번호 FQT3P20TF-SB82100
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4471 pcs
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부품 번호 FQT3P20TF-SB82100 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4471 pcs 데이터 시트 FQT3P20MA04A Pkg Drawing
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SOT-223-4 연속 QFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.7 Ohm @ 335mA, 10V 전력 소비 (최대) 2.5W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
다른 이름들 FQT3P20TF-SB82100CT
FQT3P20TF_SB82100CT
FQT3P20TF_SB82100CT-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 8nC @ 10V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 200V 상세 설명 P-Channel 200V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 670mA (Tc)

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