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FQPF32N20C

FQPF32N20C
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부품 번호 FQPF32N20C
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 71438 pcs
참조 가격
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부품 번호 FQPF32N20C 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 71438 pcs 데이터 시트 FQP(F)32N20C
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-220F 연속 QFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 82 mOhm @ 14A, 10V 전력 소비 (최대) 50W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 6 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2220pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 200V 상세 설명 N-Channel 200V 28A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Tc)

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