FQPF1N60
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| 부품 번호 | FQPF1N60 |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | FQPF1N60 | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4997 pcs | 데이터 시트 | FQPF1N60 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F | 연속 | QFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11.5 Ohm @ 450mA, 10V | 전력 소비 (최대) | 21W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
| 상세 설명 | N-Channel 600V 900mA (Tc) 21W (Tc) Through Hole TO-220F | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 900mA (Tc) |
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