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부품 번호 FQI27N25TU-F085
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 42273 pcs
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부품 번호 FQI27N25TU-F085 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 42273 pcs 데이터 시트 FQI27N25TU_F085
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 I2PAK (TO-262) 연속 Automotive, AEC-Q101
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 110 mOhm @ 12.75A, 10V 전력 소비 (최대) 3.13W (Ta), 417W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들 FQI27N25TU_F085
FQI27N25TU_F085-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1800pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 65nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 250V 상세 설명 N-Channel 250V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 417W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25.5A (Tc)

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