FQD12N20LTM-F085P
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| 부품 번호 | FQD12N20LTM-F085P |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | NMOS DPAK 200V 280 MOHM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.267 | |||||
- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | FQD12N20LTM-F085P | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | NMOS DPAK 200V 280 MOHM | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 수량 | 81175 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252, (D-Pak) | 연속 | QFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 280 mOhm @ 4.5A, 10V | 전력 소비 (최대) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 무연 상태 | Lead free |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1080pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200V |
| 상세 설명 | N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Tc) |
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