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FQB5P20TM

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부품 번호 FQB5P20TM
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 4554 pcs
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부품 번호 FQB5P20TM 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4554 pcs 데이터 시트 FQB5P20, FQI5P20
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263AB) 연속 QFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.4 Ohm @ 2.4A, 10V 전력 소비 (최대) 3.13W (Ta), 75W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 430pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 200V
상세 설명 P-Channel 200V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.8A (Tc)

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