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FJN4303RTA

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부품 번호 FJN4303RTA
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1550279 pcs
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부품 번호 FJN4303RTA 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1550279 pcs 데이터 시트 FJN4303R
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 500µA, 10mA 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 TO-92-3 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 22 kOhms 저항기 -베이스 (R1) 22 kOhms
전력 - 최대 300mW 포장 Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 다른 이름들 FJN4303RTACT
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 2 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 200MHz 상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 56 @ 5mA, 5V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA 기본 부품 번호 FJN4303

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