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부품 번호 FJN3312RTA
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 FJN3312RTA 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 4190 pcs 데이터 시트 FJN3312
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 40V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 1mA, 10mA 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 TO-92-3 연속 -
저항기 -베이스 (R1) 47 kOhms 전력 - 최대 300mW
포장 Tape & Box (TB) 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 주파수 - 전환 250MHz
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 100 @ 1mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO) 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

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