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FDS5690-NBBM009A

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부품 번호 FDS5690-NBBM009A
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 FDS5690-NBBM009A 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5443 pcs 데이터 시트 FDS5690
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) 제조업체 장치 패키지 8-SO
연속 PowerTrench® 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 28 mOhm @ 7A, 10V
전력 소비 (최대) 2.5W (Ta) 포장 Original-Reel®
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 다른 이름들 FDS5690-NBBM009ADKR
FDS5690_NBBM009ADKR
FDS5690_NBBM009ADKR-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1107pF @ 30V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 N-Channel 60V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Ta)

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