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FDD120AN15A0

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부품 번호 FDD120AN15A0
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 116682 pcs
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부품 번호 FDD120AN15A0 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 116682 pcs 데이터 시트 FDD120AN15A0, FDP120AN15A0
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 DPAK 연속 PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 120 mOhm @ 4A, 10V 전력 소비 (최대) 65W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 FDD120AN15A0CT 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 8 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 770pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 14.5nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 150V
상세 설명 N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.8A (Ta), 14A (Tc)

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