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부품 번호 FDB0300N1007L
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 19020 pcs
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부품 번호 FDB0300N1007L 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 19020 pcs 데이터 시트 FDB0300N1007L Datasheet
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263) 연속 PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 3 mOhm @ 26A, 10V 전력 소비 (최대) 3.8W (Ta), 250W (Tc)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
다른 이름들 FDB0300N1007LDKR 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 39 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8295pF @ 50V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 113nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V
상세 설명 N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200A (Tc)

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