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FCB070N65S3

FCB070N65S3
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부품 번호 FCB070N65S3
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 31392 pcs
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부품 번호 FCB070N65S3 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 31392 pcs 데이터 시트 FCB070N65S3
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 4.4mA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263AB) 연속 SuperFET® III
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 70 mOhm @ 22A, 10V 전력 소비 (최대) 312W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들 FCB070N65S3-ND
FCB070N65S3TR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3090pF @ 400V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 78nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 650V 상세 설명 N-Channel 650V 44A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 44A (Tc)

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