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EFC6601R-A-TR

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부품 번호 EFC6601R-A-TR
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET 2N-CH EFCP
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 EFC6601R-A-TR 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET 2N-CH EFCP 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5106 pcs 데이터 시트
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) -
제조업체 장치 패키지 EFCP2718-6CE-020 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) - 전력 - 최대 2W
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 6-XFBGA, FCBGA
작동 온도 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 48nC @ 4.5V
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 특징 Logic Level Gate, 2.5V Drive
소스 전압에 드레인 (Vdss) - 상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) -

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