DLN10C-BT
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| 부품 번호 | DLN10C-BT |
|---|---|
| 제조사 | ON Semiconductor |
| 기술 | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | DLN10C-BT | 제조사 | ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 3983 pcs | 데이터 시트 | DLN10 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Standard |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1A | 전압 - 파괴 | - |
| 연속 | - | RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) |
| 역 회복 시간 (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | 만약, F @ 저항 | - |
| 편광 | R-1 (Axial) | 작동 온도 - 정션 | 35ns |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | DLN10C-BT | 확장 설명 | Diode Standard 200V 1A Through Hole |
| 다이오드 구성 | 10µA @ 200V | 기술 | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 980mV @ 1A | 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 200V |
| VR, F @ 용량 | 150°C (Max) |
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