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BS108ZL1G

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부품 번호 BS108ZL1G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 5349 pcs
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부품 번호 BS108ZL1G 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 5349 pcs 데이터 시트 BS108
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.5V @ 1mA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-92-3 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 8 Ohm @ 100mA, 2.8V 전력 소비 (최대) 350mW (Ta)
포장 Tape & Box (TB) 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
다른 이름들 BS108ZL1GOS
BS108ZL1GOS-ND
BS108ZL1GOSTB
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 25V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2V, 2.8V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 200V
상세 설명 N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA (Ta)

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