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2SK545-11D-TB-E

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부품 번호 2SK545-11D-TB-E
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 JFET N-CH 1MA 125MW CP
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 513537 pcs
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부품 번호 2SK545-11D-TB-E 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 JFET N-CH 1MA 125MW CP 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 513537 pcs 데이터 시트 2SK545
범주 이산 반도체 제품 전압 - 컷오프 (VGS 꺼짐) 아이디 @ 1.5V @ 1µA
제조업체 장치 패키지 3-CP 연속 -
전력 - 최대 125mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 다른 이름들 2SK545-11D-TB-E-ND
2SK545-11D-TB-EOSTR
작동 온도 - 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 15 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1.7pF @ 10V
FET 유형 N-Channel 소스 전압에 드레인 (Vdss) 40V
상세 설명 JFET N-Channel 1mA 125mW Surface Mount 3-CP 드레인 전류 (ID) - 최대 1mA
전류 - Vds를 @ 드레인 (IDSS) (의 Vgs = 0) 60µA @ 10V

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