2SK3666-2-TB-E
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| 부품 번호 | 2SK3666-2-TB-E |
|---|---|
| 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 | JFET NCH 30V 200MW 3CP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.032 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | 2SK3666-2-TB-E | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | JFET NCH 30V 200MW 3CP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 791046 pcs | 데이터 시트 | 2SK3666 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 컷오프 (VGS 꺼짐) 아이디 @ | 180mV @ 1µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 3-CP | 연속 | - |
| 저항 - RDS (ON) | 200 Ohms | 전력 - 최대 | 200mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 다른 이름들 | 2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 5 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4pF @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
| 드레인 전류 (ID) - 최대 | 10mA | 전류 - Vds를 @ 드레인 (IDSS) (의 Vgs = 0) | 600µA @ 10V |
| 기본 부품 번호 | 2SK3666 |
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