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2SJ661-DL-1E

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부품 번호 2SJ661-DL-1E
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 60V 38A
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 47876 pcs
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부품 번호 2SJ661-DL-1E 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET P-CH 60V 38A 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 47876 pcs 데이터 시트 2SJ661
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) -
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-263-2 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 39 mOhm @ 19A, 10V 전력 소비 (최대) 1.65W (Ta), 65W (Tc)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들 2SJ661-DL-1EOSDKR 작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 9 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4360pF @ 20V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 80nC @ 10V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 38A (Ta)

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