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2N7000-D26Z

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부품 번호 2N7000-D26Z
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 715387 pcs
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부품 번호 2N7000-D26Z 제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 715387 pcs 데이터 시트 2N7000/02, NDS7002A Datasheet
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 1mA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-92-3 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 5 Ohm @ 500mA, 10V 전력 소비 (최대) 400mW (Ta)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
다른 이름들 2N7000-D26ZCT
2N7000_D26ZCT
2N7000_D26ZCT-ND
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 6 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 N-Channel 60V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Ta) 기본 부품 번호 2N7000

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