STF10N60DM2

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부품 번호	STF10N60DM2
제조사	STMicroelectronics
기술	N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 68889 pcs
참조 가격 (US 달러)	1 pcs	10 pcs	100 pcs	500 pcs	1000 pcs
참조 가격 (US 달러)	$0.68	$0.603	$0.477	$0.37	$0.292

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	STF10N60DM2	제조사	STMicroelectronics
기술	N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	68889 pcs	데이터 시트	Power Mgmt Guide Brochure STF10N60DM2 Datasheet
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	5V @ 250µA
Vgs (최대)	±25V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	TO-220FP	연속	MDmesh™ DM2
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	530 mOhm @ 4A, 10V	전력 소비 (최대)	25W (Tc)
포장	Tube	패키지 / 케이스	TO-220-3 Full Pack
다른 이름들	497-16959	작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	42 Weeks	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	529pF @ 100V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	15nC @ 10V
FET 유형	N-Channel	FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V	소스 전압에 드레인 (Vdss)	600V
상세 설명	N-Channel 600V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	8A (Tc)

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