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EMG6T2R

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부품 번호 EMG6T2R
제조사 LAPIS Semiconductor
기술 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 1317351 pcs
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부품 번호 EMG6T2R 제조사 LAPIS Semiconductor
기술 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1317351 pcs 데이터 시트 EMG6, UMG6N, FMG6AEMT5 T2R Taping Spec
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 1mA, 10mA 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 EMT5 연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) - 저항기 -베이스 (R1) 47 kOhms
전력 - 최대 150mW 포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 다른 이름들 EMG6T2R-ND
EMG6T2RTR
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 10 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 250MHz 상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 100 @ 1mA, 5V 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA 기본 부품 번호 *MG6

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